发明名称 发光结构、包括发光结构的显示装置及其制造方法
摘要 本发明公开了一种发光结构、包括发光结构的显示装置及其制造方法。该发光结构包括第一空穴注入层、第一有机发光层、电荷产生层、第二空穴注入层、第二有机发光层、电子传输层以及阻挡元件。发光结构具有第一子像素区、第二子像素区以及第三子像素区。第一有机发光层可位于所述第一空穴注入层上。电荷产生层可位于所述第一有机发光层上。第二空穴注入层可位于所述电荷产生层上。第二有机发光层可位于所述第二空穴注入层上。电子传输层可位于所述第二有机发光层上。阻挡元件可位于所述第一至第三子像素区至少之一处。
申请公布号 CN102856507B 申请公布日期 2016.12.14
申请号 CN201210061071.3 申请日期 2012.03.09
申请人 三星显示有限公司 发明人 李圣秀;宋沃根;金世一
分类号 H01L51/52(2006.01)I;H01L27/32(2006.01)I 主分类号 H01L51/52(2006.01)I
代理机构 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 代理人 罗正云;宋志强
主权项 一种发光结构,具有第一子像素区、第二子像素区和第三子像素区,该发光结构包括:至少在所述第一子像素区处位于第一电极上的光程控制绝缘层;在所述第一子像素区和所述第二子像素区处位于所述光程控制绝缘层上、并在所述第三子像素区处位于所述第一电极上的第一空穴注入层;在所述第一空穴注入层上的第一有机发光层;在所述第一有机发光层上的电荷产生层;在所述电荷产生层上的第二空穴注入层;在所述第二空穴注入层上的第二有机发光层;在所述第二有机发光层上的电子传输层;以及在所述第一子像素区处的阻挡元件;其中所述第一子像素区中的第一光学谐振距离、所述第二子像素区中的第二光学谐振距离和所述第三子像素区中的第三光学谐振距离彼此不同;其中所述第一光学谐振距离与所述第二光学谐振距离之间的差异由在所述第一子像素区的所述阻挡元件的厚度以及在所述第一子像素区和所述第二子像素区的所述光程控制绝缘层的厚度确定;并且其中所述阻挡元件包括电子阻挡层或激子猝熄层。
地址 韩国京畿道