| 发明名称 | 半导体器件及其操作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体器件及其操作方法。所述半导体器件包括：单元串，所述单元串每个都包括多个存储器单元；页缓冲器，所述页缓冲器与位线耦接且被配置成响应于页缓冲器控制信号对所述位线预充电以及将数据储存在锁存器中；页缓冲器控制电路，所述页缓冲器控制电路被配置成利用高电压源产生所述页缓冲器控制信号；以及控制器，所述控制器被配置成产生用于控制所述页缓冲器控制电路的控制信号。 | ||
| 申请公布号 | CN102820051B | 申请公布日期 | 2016.12.14 |
| 申请号 | CN201210191050.3 | 申请日期 | 2012.06.11 |
| 申请人 | 爱思开海力士有限公司 | 发明人 | 白侊虎;朴镇寿;梁彰元 |
| 分类号 | G11C11/4063(2006.01)I;G11C11/413(2006.01)I;G11C11/4193(2006.01)I | 主分类号 | G11C11/4063(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人 | 俞波;郭放 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：单元串，所述单元串每个都包括多个存储器单元；页缓冲器，所述页缓冲器与至少一条位线耦接且被配置成响应于页缓冲器控制信号对所述至少一条位线预充电以及将数据储存在锁存器中；页缓冲器控制电路，所述页缓冲器控制电路被配置成利用高电压源产生所述页缓冲器控制信号；以及控制器，所述控制器被配置成产生用于控制所述页缓冲器控制电路的控制信号，其中，所述页缓冲器控制电路包括：单个第一高电压发生器，所述单个第一高电压发生器与所述高电压源相对应；以及多个分压器，所述多个分压器被配置成响应于所述控制信号中的第一控制信号通过对所述单个第一高电压发生器所产生的高电压进行分压来产生所述页缓冲器控制信号之中的第一页缓冲器控制信号。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||