发明名称 |
一种基于倏逝波谐振的多孔硅‑硅‑多孔硅气体传感器 |
摘要 |
本发明公开一种基于倏逝波谐振的多孔硅‑硅‑多孔硅气体传感器,包括由多孔硅‑硅‑多孔硅组成的结构,以及在该结构两端进行耦合的硅棱镜,所述多孔硅‑硅‑多孔硅组成的结构通过脉冲电化学腐蚀方法制备,其中硅的折射率n<sub>Si</sub>=3.5,光源以一定入射角度θ从硅棱镜工作表面入射,在硅棱镜与多孔硅层界面处发生全反射并产生倏逝波,若倏逝波的穿透深度大于多孔硅层厚度,则倏逝波在中间硅层内发生全反射形成谐振腔并产生谐振峰,当气体进入多孔硅中,使其折射率改变,从而产生谐振峰漂移来测量气体浓度。该传感器具有结构简单、高Q值和高灵敏特性,可对低浓度气体进行精确、快速的测量,在低浓度气体的检测应用中具有较高的应用价值。 |
申请公布号 |
CN106226268A |
申请公布日期 |
2016.12.14 |
申请号 |
CN201610527961.7 |
申请日期 |
2016.07.06 |
申请人 |
燕山大学 |
发明人 |
陈颖;罗佩;朱奇光;田亚宁;赵志勇;刘晓飞 |
分类号 |
G01N21/41(2006.01)I |
主分类号 |
G01N21/41(2006.01)I |
代理机构 |
秦皇岛一诚知识产权事务所(普通合伙) 13116 |
代理人 |
李合印 |
主权项 |
一种基于倏逝波谐振的多孔硅‑硅‑多孔硅气体传感器,其特征在于,包括由多孔硅‑硅‑多孔硅组成的结构,以及在该结构两端进行耦合的硅棱镜,所述多孔硅‑硅‑多孔硅组成的结构通过脉冲电化学腐蚀方法制备,其中硅的折射率n<sub>Si</sub>=3.5,光源以一定入射角度θ从硅棱镜工作表面入射,在硅棱镜与多孔硅层界面处发生全反射并产生倏逝波,若倏逝波的穿透深度大于多孔硅层厚度,则倏逝波在中间硅层内发生全反射形成谐振腔并产生谐振峰,当气体进入多孔硅中,使其折射率改变,从而产生谐振峰漂移来测量气体浓度。 |
地址 |
066004 河北省秦皇岛市海港区河北大街西段438号 |