发明名称 一种基于倏逝波谐振的多孔硅‑硅‑多孔硅气体传感器
摘要 本发明公开一种基于倏逝波谐振的多孔硅‑硅‑多孔硅气体传感器,包括由多孔硅‑硅‑多孔硅组成的结构,以及在该结构两端进行耦合的硅棱镜,所述多孔硅‑硅‑多孔硅组成的结构通过脉冲电化学腐蚀方法制备,其中硅的折射率n<sub>Si</sub>=3.5,光源以一定入射角度θ从硅棱镜工作表面入射,在硅棱镜与多孔硅层界面处发生全反射并产生倏逝波,若倏逝波的穿透深度大于多孔硅层厚度,则倏逝波在中间硅层内发生全反射形成谐振腔并产生谐振峰,当气体进入多孔硅中,使其折射率改变,从而产生谐振峰漂移来测量气体浓度。该传感器具有结构简单、高Q值和高灵敏特性,可对低浓度气体进行精确、快速的测量,在低浓度气体的检测应用中具有较高的应用价值。
申请公布号 CN106226268A 申请公布日期 2016.12.14
申请号 CN201610527961.7 申请日期 2016.07.06
申请人 燕山大学 发明人 陈颖;罗佩;朱奇光;田亚宁;赵志勇;刘晓飞
分类号 G01N21/41(2006.01)I 主分类号 G01N21/41(2006.01)I
代理机构 秦皇岛一诚知识产权事务所(普通合伙) 13116 代理人 李合印
主权项 一种基于倏逝波谐振的多孔硅‑硅‑多孔硅气体传感器,其特征在于,包括由多孔硅‑硅‑多孔硅组成的结构,以及在该结构两端进行耦合的硅棱镜,所述多孔硅‑硅‑多孔硅组成的结构通过脉冲电化学腐蚀方法制备,其中硅的折射率n<sub>Si</sub>=3.5,光源以一定入射角度θ从硅棱镜工作表面入射,在硅棱镜与多孔硅层界面处发生全反射并产生倏逝波,若倏逝波的穿透深度大于多孔硅层厚度,则倏逝波在中间硅层内发生全反射形成谐振腔并产生谐振峰,当气体进入多孔硅中,使其折射率改变,从而产生谐振峰漂移来测量气体浓度。
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