蓝宝石衬底上的氮‑极性的半极性GaN层和器件

摘要

描述了用于在图案化蓝宝石衬底上形成半极性III族氮化物材料的外延层的方法和结构。半‑氮‑极性GaN可以从蓝宝石的倾斜c‑面小面生长并且合并以在所述蓝宝石衬底上形成连续的(2021)GaN层。蓝宝石的氮化和低温GaN缓冲层用于形成半‑氮‑极性GaN。

主权项

一种用于在衬底上形成半极性氮化镓的外延层的方法，所述方法包括：在图案化蓝宝石衬底的图案化表面上形成共形掩模层；在所述掩模层的一部分上沉积抗蚀剂；蚀刻所述掩模层的未被所述抗蚀剂覆盖的区域以露出在所述图案化蓝宝石衬底上的晶体生长表面；以及从所述晶体生长表面生长半极性氮化镓。