GaN III-V ATOMIC LAYER ETCHING OF GaN AND OTHER III-V MATERIALS

摘要

갈륨 나이트라이드 (GaN) 와 같은 III-V 족 재료들을 제거하는 ALE 방법들 및 관련 장치가 본 명세서에 제공된다. 일부 실시예들에서, 방법들은 개질된 III-V 족 표면 층을 형성하기 위해 기판을 바이어싱하지 않고 염소 함유 플라즈마에 III-V 족 재료를 노출시키는 단계; 및 개질된 III-V 족 표면 층을 제거하기 위해 개질된 III-V 족 표면 층을 플라즈마에 노출시키는 동안 기판에 바이어스 전압을 인가하는 단계를 수반한다. 개시된 방법들은 트렌치들 및 홀들에 대한 에칭 프로세스들을 포함하는 광범위한 애플리케이션들, HEMT들의 제조, LED들의 제조, 및 에칭 프로세스에서 개선된 선택도에 적합하다.