发明名称 METHOD FOR GROWING THIN FILM IN SEMICONDUCTOR AND THE SAME GROWN BY IT
摘要 본 발명은 반도체 박막 성장 방법 및 이에 의해 성장된 반도체의 박막에 관한 것이다. 제1극성 및 제2극성을 가지는 반도체에 대하여, 단일의 제1극성의 반도체 박막을 성장하기 위한, 본 발명의 반도체 박막 성장 방법은, 기판상에 상기 제1극성 및 제2극성-소정의 식각에 대하여 식각률이 상이함-의 반도체의 성장을 수행하고, 상기 소정의 식각을 수행하여, 상기 제2극성의 반도체를 식각하고, 상기 제1극성의 반도체의 수평재성장을 수행한다.
申请公布号 KR101686677(B1) 申请公布日期 2016.12.14
申请号 KR20100134843 申请日期 2010.12.24
申请人 엘지전자 주식회사 发明人 김치선
分类号 H01L21/02;H01L33/16 主分类号 H01L21/02
代理机构 代理人
主权项
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