SOI射频开关结构及集成电路

摘要

一种SOI射频开关结构及集成电路。SOI射频开关结构包括：按照前一个MOS晶体管的源极连接至相邻的后一个MOS晶体管的漏极的方式依次并排布置的多个MOS晶体管，每个MOS晶体管的源极和漏极通过各自的第一电阻器连接，每个MOS晶体管的栅极通过各自的第二电阻器连接栅极电压，第一个MOS晶体管的漏极连接至输入信号，最后一个MOS晶体管的源极连接输出信号；每个MOS晶体管的体区分别连接至各自的第三电阻器的第一端，相邻两个第三电阻器的第二端之间连接一个第四电阻器，最靠近射频信号输入端的MOS晶体管体区经由第四电阻器R4接地，最靠近输出端的MOS晶体管体区接负偏压；各个第四电阻器形成一个依次连接的串行链路以便在接地电压和负偏压电压之间进行串联分压。

主权项

一种SOI射频开关结构，其特征在于包括：按照前一个MOS晶体管的源极连接至相邻的后一个MOS晶体管的漏极的方式依次并排布置的多个MOS晶体管，其中所述多个MOS晶体管中的每个MOS晶体管的源极和漏极通过各自的第一电阻器连接，所述多个MOS晶体管中的每个MOS晶体管的栅极通过各自的第二电阻器连接栅极电压，而且所述多个MOS晶体管中的第一个MOS晶体管的漏极连接至输入信号，且所述多个MOS晶体管中的最后一个MOS晶体管的源极连接输出信号；所述多个MOS晶体管中的每个MOS晶体管的体区分别连接至各自的第三电阻器的第一端，而且相邻两个第三电阻器的第二端之间连接一个第四电阻器；而且，最靠近射频信号输入端的MOS晶体管的体区经由一个第四电阻器R4接地，最靠近射频输出端的MOS晶体管的体区接负偏压，由此各个第四电阻器形成一个依次连接的串行链路以便在接地电压和负偏压电压之间进行串联分压。