晶圆级芯片封装方法及结构

摘要

本发明公开了晶圆级芯片封装方法及结构。该方法包括：提供晶圆，该晶圆具有第一表面以及与第一表面相对的第二表面，第二表面设置有第一绝缘层；该晶圆内含多个芯片单元，每个芯片单元在所述第一绝缘层远离所述第二表面的一侧设置有若干金属衬垫；在该晶圆的第一表面形成抵达所述第一绝缘层的通孔，露出所述第一绝缘层，所述金属衬垫在所述通孔的正下方；刻蚀所述通孔与金属衬垫之间的所述第一绝缘层，露出金属衬垫；形成覆盖所述通孔以及所述晶圆第一表面的第二绝缘层；光刻或刻蚀所述通孔底面的所述第二绝缘层，露出所述金属衬垫。本发明提供的晶圆级芯片封装方法及结构，对金属衬垫无破坏，可以实现导线跟金属衬垫的面接触，提高信号稳定性。

主权项

一种晶圆级芯片封装方法，其特征在于，所述方法包括：步骤110、提供晶圆，所述晶圆具有第一表面以及与第一表面相对的第二表面，所述第二表面设置有第一绝缘层；所述晶圆内含多个芯片单元，每个所述芯片单元在所述第一绝缘层远离所述第二表面的一侧设置有若干金属衬垫；步骤120、在所述晶圆的第一表面形成抵达所述第一绝缘层的通孔，露出所述第一绝缘层，所述金属衬垫在所述通孔的正下方；步骤130、刻蚀所述通孔与所述金属衬垫之间的所述第一绝缘层，露出所述金属衬垫；步骤140、形成覆盖所述通孔以及所述晶圆第一表面的第二绝缘层；步骤150、光刻或刻蚀所述通孔底面的所述第二绝缘层，露出所述金属衬垫；步骤160、依次形成金属布线层以及阻焊层，所述金属布线层与所述金属衬垫电性连接。