发明名称 |
凸块形成方法、凸块形成装置以及半导体装置的制造方法 |
摘要 |
一种形成半导体装置用的凸块的方法,包括:接合步骤,将自接合工具的前端伸出的金属线的前端接合于第1地点X1;金属线抽出步骤,使接合工具向远离第1地点X1的方向移动;薄壁部形成步骤,在基准面的第2地点X2利用接合工具按压金属线的一部分,而在金属线形成薄壁部(64);金属线整形步骤,将接合于第1地点X1的金属线以自基准面竖立的方式进行整形;及凸块形成步骤,将金属线自薄壁部切断,而在第1地点X1形成具有自基准面竖立的形状的凸块(60)。由此,可更简便且有效率地形成具有所需高度的凸块。 |
申请公布号 |
CN106233443A |
申请公布日期 |
2016.12.14 |
申请号 |
CN201480078105.7 |
申请日期 |
2014.04.24 |
申请人 |
株式会社新川 |
发明人 |
吉野浩章;富山俊彦 |
分类号 |
H01L21/60(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/60(2006.01)I |
代理机构 |
北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 |
代理人 |
杨文娟;臧建明 |
主权项 |
一种形成凸块的方法,使用插通有金属线的接合工具而形成半导体装置用的凸块,所述凸块形成方法包括:接合步骤,使所述接合工具朝向基准面的第1地点下降,而将自所述接合工具的前端伸出的所述金属线的前端接合于所述第1地点;金属线抽出步骤,自所述接合工具的前端抽出所述金属线并使所述接合工具向远离所述第1地点的方向移动;薄壁部形成步骤,通过在所述基准面的第2地点利用所述接合工具按压所述金属线的一部分,而在所述金属线形成薄壁部;金属线整形步骤,使所述接合工具与所述金属线的所述薄壁部一并移动,而将接合于所述第1地点的所述金属线以自所述基准面竖立的方式进行整形;及凸块形成步骤,通过将所述金属线在所述薄壁部切断,而在所述第1地点形成具有自所述基准面竖立的形状的凸块。 |
地址 |
日本东京武藏村山市伊奈平二丁目51番地之1 |