发明名称 贯通孔形成方法及配线电路基板的制造方法
摘要 于层积体,例如,使用雷射光,藉由圆割(trepan)加工法形成第1贯通孔。所谓圆割加工法系欲形成之第1贯通孔的略中心区域开始雷射光的照射,沿着欲形成之第1贯通孔的孔径所对应之圆周,进行电射光的照射,并在最后以回到欲形成之第1贯通孔的前述略中心区域之轨道,进行电射光的照射之加工法。接着,与第1贯通孔的形成时相同,藉由照射雷射光而形成,以与第1贯通孔略同心之大于该当第1贯通孔的孔径之第2贯通孔。
申请公布号 TW200814888 申请公布日期 2008.03.16
申请号 TW096122609 申请日期 2007.06.22
申请人 日东电工股份有限公司 发明人 西田干司;松尾直之;浦入正胜
分类号 H05K3/42(2006.01) 主分类号 H05K3/42(2006.01)
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 日本