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经营范围
发明名称
半导体元件封装体,半导体装置及其等之制造方法
摘要
一种封装体之制造方法,该方法包括:一蚀刻矽基板以形成一穿过该矽基板之介层孔的蚀刻步骤;以及一嵌入导电材料于该介层孔中以形成一介层插塞之步骤,特征在于:该蚀刻步骤包括一以直线形状形成该介层孔之第一蚀刻步骤及一以锥形形状形成该介层孔之第二蚀刻步骤。
申请公布号
TW200814380
申请公布日期
2008.03.16
申请号
TW096132019
申请日期
2007.08.29
申请人
新光电气工业股份有限公司
发明人
村山启;白石晶纪;春原昌宏;田口裕一;小泉直幸;东光敏
分类号
H01L33/00(2006.01)
主分类号
H01L33/00(2006.01)
代理机构
代理人
赖经臣;宿希成
主权项
地址
日本
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