一种在金属氮化镓复合衬底上制备发光二极管的方法

摘要

一种在金属氮化镓复合衬底上制备发光二极管的方法，包括以下步骤，首先在N₂气氛，820‑850℃，反应室压力300torr下,在金属GaN复合衬底上外延厚度为200纳米的低温n型GaN应力释放层，然后在N₂气氛、750‑850℃下，生长多周期的In_xGa_1‑xN/GaN多量子阱有源区；接着在H₂气氛、850‑95℃下，生长p型Al_y1In_x1Ga_1‑y1‑x1N电子阻挡层，然后在H₂气氛、950‑1050℃下，生长高温p型GaN层；接着再在H₂气氛、650‑750℃下生长p型InGaN接触层，退火处理制备得到高亮度金属氮化镓复合衬底发光二极管。本发明提高了金属氮化镓复合衬底发光二极管发光效率。

主权项

一种在金属氮化镓复合衬底上制备发光二极管的方法，包括以下步骤：步骤1，将金属氮化镓复合衬底（101）放入MOCVD反应室中，在N₂气氛、MOCVD反应室压力为300torr下，将MOCVD反应室升温至820‑850℃，然后在820‑850℃的温度范围内退火处理55～65s，接着以MOCVD反应室压力300torr、V/III摩尔比为500‑1300，采用0.2微米/小时‑1微米/小时的生长速率，生长厚度为200纳米的低温n型GaN应力释放层（102）；步骤2，在N₂气氛、750‑850℃下，以V/III摩尔比为5000‑10000，MOCVD反应室压力为300torr,生长3‑10个周期的In_xGa_1‑xN/GaN多量子阱有源区（103）,其中，0<x≤0.3；步骤3，在N₂气氛、850‑950℃下，以V/III摩尔比为5000‑10000、MOCVD反应室压力为100‑300torr, 生长厚度为30纳米的p型Al_y1In_x1Ga_1‑y1‑x1N电子阻挡层（104），Al组分0≤y₁≤0.2，In组分0≤x₁≤x；步骤4，在H₂气氛、950‑1050℃下，以V/III摩尔比为2000‑5000、MOCVD反应室压力为100torr,生长厚度为100‑300nm的高温p型GaN层（105）；步骤5，在H₂气氛、650‑750℃下，以V/III摩尔比为5000‑10000、MOCVD反应室压力为300torr,生长厚度为2‑4nm的p型InGaN接触层（106）；步骤6，将MOCVD反应室的温度降至20‑30℃，结束生长，完成金属氮化镓复合衬底发光二极管外延层的生长，制备得到高亮度的金属氮化镓复合衬底发光二极管。