一种氮化镓基发光二极管的外延片的制备方法

摘要

本发明公开了一种氮化镓基发光二极管的外延片的制备方法，属于光电子制造技术领域。该方法包括在衬底上生长缓冲层、三维成长层、u‑GaN层、n型层、应力释放层、有源层和p型层，n型层包括第一n‑GaN高温层、第二GaN低温层和第三n‑GaN高温层，第二GaN低温层的生长温度低于第一n‑GaN高温层的生长温度且低于第三n‑GaN高温层的生长温度，通过第二GaN低温层的生长温度低于n‑GaN高温层和第三n‑GaN高温层的生长温度，第二GaN低温层可以阻断晶体的生长缺陷继续延伸，提高外延片抗静电能力。

主权项

一种氮化镓基发光二极管的外延片的制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供一衬底；在所述衬底上依次外延生长缓冲层、三维成长层、u‑GaN层、n型层、应力释放层、有源层和p型层，所述n型层包括依次生长的第一n‑GaN高温层、第二GaN低温层和第三n‑GaN高温层，所述第二GaN低温层的生长温度低于所述第一n‑GaN高温层的生长温度，且所述第二GaN低温层的生长温度低于所述第三n‑GaN高温层的生长温度。