发明名称 | 硅基横向注入激光器及其制备方法 | ||
摘要 | 一种硅基横向注入激光器及其制备方法,该硅基横向注入激光器,包括:一硅衬底,该硅衬底上面的中间制作有波导沟槽,该硅衬底上面波导沟槽的两侧形成有p型掺杂区和n型掺杂区;一二氧化硅窗口层,其制作在硅衬底的部分表面,该二氧化硅窗口层对应所述p型掺杂区和n型掺杂区的上面分别开有侧窗口;一条形波导,生长在硅衬底的波导沟槽中;一绝缘介质层,其制作在条形波导的表面,以及覆盖二氧化硅窗口层的表面;一p电极,其制作在p型掺杂区上的二氧化硅窗口层的一侧窗口内;一n电极,其制作在n型掺杂区上的二氧化硅窗口层的另一侧窗口内。本发明可以提高其与硅CMOS工艺的兼容性。 | ||
申请公布号 | CN106229813A | 申请公布日期 | 2016.12.14 |
申请号 | CN201610836551.0 | 申请日期 | 2016.09.21 |
申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 刘智;成步文;李传波;薛春来;王启明 |
分类号 | H01S5/223(2006.01)I | 主分类号 | H01S5/223(2006.01)I |
代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 汤保平 |
主权项 | 一种硅基横向注入激光器,包括:一硅衬底,该硅衬底上面的中间制作有波导沟槽,该硅衬底上面波导沟槽的两侧形成有p型掺杂区和n型掺杂区;一二氧化硅窗口层,其制作在硅衬底的部分表面,该二氧化硅窗口层对应所述p型掺杂区和n型掺杂区的上面分别开有侧窗口;一条形波导,生长在硅衬底的波导沟槽中;一绝缘介质层,其制作在条形波导的表面,以及覆盖二氧化硅窗口层的表面;一p电极,其制作在p型掺杂区上的二氧化硅窗口层的一侧窗口内;一n电极,其制作在n型掺杂区上的二氧化硅窗口层的另一侧窗口内。 | ||
地址 | 100083 北京市海淀区清华东路甲35号 |