发明名称 堆迭式封装及其制造方法
摘要 一种堆迭式封装及其制造方法。方法包括以下步骤。形成一封装结构,方法包括以下步骤。提供一第一基板。第一基板包含一第一表面及相对第一表面的一第二表面。于第一基板的第一表面上配置一芯片。于第一基板的第一表面上配置数个导电球。形成一封装体,包覆第一基板的第一表面、芯片及导电球。封装体具有数个开口并露出导电球。形成包含相对的一下表面及一上表面的一第二基板,方法包括以下步骤。形成数个导电柱凸出于一介电结构的一第一介电表面。形成数个导电接点露出于介电结构的一第二介电表面。第一介电表面是相对于第二介电表面。第二基板的上表面包括第二介电表面。导电柱与导电接点彼此电性连结。经由数个焊料材料物理连接并电性连接封装结构的导电球与第二基板的导电柱。
申请公布号 CN106229270A 申请公布日期 2016.12.14
申请号 CN201610668668.2 申请日期 2013.03.29
申请人 日月光半导体制造股份有限公司 发明人 李志成;赖逸少;施佑霖
分类号 H01L21/56(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I;H01L23/488(2006.01)I;H01L25/065(2006.01)I 主分类号 H01L21/56(2006.01)I
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人 陆勍
主权项 一种堆迭式封装的制造方法,其特征在于,包括:提供一封装结构,包括一第一基板,该第一基板包含一第一表面及相对该第一表面的一第二表面;一芯片,配置于该第一基板的该第一表面上;数个导电球,配置于该第一基板的该第一表面上;以及一封装体,包覆该第一基板的该第一表面、该芯片及该些导电球,其中该封装体具有数个开口并露出该些导电球;提供包含相对的一下表面及一上表面的一第二基板,包括:一介电层,具有一介电表面,该介电表面是该第二基板的该下表面的一部分;一导电结构,位于该介电层中;数个导电柱凸出于该介电结构的一第一介电表面;以及数个导电接点,露出于该介电结构的一第二介电表面,该第一介电表面是相对于该第二介电表面,该第二基板的该上表面包括该第二介电表面,其中该导电柱与该导电接点彼此电性连结;以及物理连接并电性连接该封装结构的该些导电球与该第二基板的该些导电柱。
地址 中国台湾高雄市楠梓加工出口区经三路26号