| 发明名称 | 深沟槽填充方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种深沟槽填充方法，在深沟槽内，先用外延填充，外延填充至沟槽侧壁的外延在底部合拢之后，再利用非导电介质对沟槽内剩余空隙进行填充至填充满沟槽。本发明所述的深沟槽填充方法，外延填充在外延底部合拢后顶部合拢前停止，保持底部和顶部的外延体积相接近。由于填充外延内部的杂质量与体积成正比，所以本填充方法可以减小深沟槽底部和上部的杂质量差异，提升耗尽区的均匀性，使得在反向耗尽时沟槽各个深度的耗尽程度差异不大，进而提升耗尽区的耐压效率，提升产品的耐压能力。 | ||
| 申请公布号 | CN106229335A | 申请公布日期 | 2016.12.14 |
| 申请号 | CN201610621874.8 | 申请日期 | 2016.08.01 |
| 申请人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 姚亮;王飞 |
| 分类号 | H01L29/06(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 丁纪铁 |
| 主权项 | 一种深沟槽外填充方法，其特征在于：在深沟槽内，先用外延填充，外延填充至沟槽侧壁的外延在底部合拢之后，再利用非导电介质进行填充至填充满沟槽。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||