发明名称 |
通过改变位线电压的多VT 感测方法 |
摘要 |
本申请涉及通过改变位线电压的多VT感测方法。描述了用于同时验证两个或更多个编程状态的方法和系统。在编程验证操作期间,可以通过以下方式来同时地验证两个或更多个存储器单元阈值电压水平:将字线电压施加至多个存储器单元,将两个或更多个不同的位线电压施加至多个存储器单元、以及在两个或更多个不同的位线电压被施加至多个存储器单元的同时感测多个存储器单元。在编程验证操作期间施加的位线电压可以使第一组多个存储器单元能够在第一电压水平处被感测、同时使第二组多个存储器单元在不同于第一电压水平的第二电压水平处被感测。 |
申请公布号 |
CN106229008A |
申请公布日期 |
2016.12.14 |
申请号 |
CN201610393226.1 |
申请日期 |
2016.06.06 |
申请人 |
桑迪士克科技有限责任公司 |
发明人 |
李燕龙;迪潘舒·杜塔 |
分类号 |
G11C16/24(2006.01)I;G11C16/10(2006.01)I |
主分类号 |
G11C16/24(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
朱胜;陈炜 |
主权项 |
一种装置,包括:第一感测放大器(500),所述第一感测放大器(500)被配置成识别针对第一存储器单元的第一编程状态,并且在第一时间点处,基于所述第一编程状态来将连接至所述第一存储器单元的第一位线偏压至第一位线电压,所述第一感测放大器被配置成在所述第一位线被偏压至所述第一位线电压的同时,感测来自所述第一存储器单元的第一电流;以及第二感测放大器(500),所述第二感测放大器(500)被配置成识别针对第二存储器单元的不同于所述第一编程状态的第二编程状态,并且在所述第一时间点处,基于所述第二编程状态来将连接至所述第二存储器单元的第二位线偏压至第二位线电压,所述第二感测放大器被配置成在所述第二位线被偏压至所述第二位线电压的同时,感测来自所述第二存储器单元的第二电流。 |
地址 |
美国德克萨斯州 |