| 发明名称 | 一种新型双向ESD器件及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种新型双向ESD器件及其制作方法，该ESD器件包括：半导体基体和设置于所述半导体基体中的P阱；生成于所述P阱中一侧的N阱；设置于所述P阱另一侧的NPN三极管结构以及设置于所述N阱中的双向二极管结构；设置于所述NPN三极管结构的集电极和发射极下的ESD植入层，本发明通过将该ESD器件的NPN三极管的集电极和发射极下方都注入P型ESD_IMP，进一步降低了垂直方向的NPN回滞效应的触发电压，从而达到降低整个静电防护结构的触发电压的目的，本发明的NPN器件具有左右对称结构，通过外接并联的双向二极管使得本发明中的ESD器件具有双向泄流能力。 | ||
| 申请公布号 | CN106229315A | 申请公布日期 | 2016.12.14 |
| 申请号 | CN201610875594.X | 申请日期 | 2016.09.30 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 朱天志 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 智云 |
| 主权项 | 一种新型双向ESD器件，其特征在于，该ESD器件包括：半导体基体和设置于所述半导体基体中的P阱；生成于所述P阱中一侧的N阱；设置于所述P阱另一侧的NPN三极管结构以及设置于所述N阱中的双向二极管结构；设置于所述NPN三极管结构的集电极和发射极下的ESD植入层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江开发区高斯路568号 | ||