发明名称 |
不对称式MOSFET并联电路 |
摘要 |
本发明涉及一种电子电路技术领域,具体涉及一种不对称式MOSFET并联电路,包括信号输出电路,用以输出一预定信号;第一放大电路,连接信号输出电路,用以放大预定信号形成第一放大信号输出并输出;第一控制电路,第一控制电路的驱动端连接第一放大电路,用以接受第一放大信号,并于第一放大信号的驱动下输出第一电压信号;延迟电路,连接信号输出电路,用以接受预定信号,并对预定信号做延迟处理形成一延迟信号输出;第二放大电路,接受经过延迟处理后的延迟信号,并对延迟信号做放大处理形成一第二放大信号输出;第二控制电路,第二控制信号的驱动端连接第二放大电路,用以接受第二放大信号,并于第二放大信号的驱动信输出第二电压信号。 |
申请公布号 |
CN106230240A |
申请公布日期 |
2016.12.14 |
申请号 |
CN201610249587.9 |
申请日期 |
2016.04.21 |
申请人 |
上海麟荣电子技术有限公司 |
发明人 |
隋鲁波;丛晓 |
分类号 |
H02M1/10(2006.01)I |
主分类号 |
H02M1/10(2006.01)I |
代理机构 |
|
代理人 |
|
主权项 |
一种不对称式MOSFET并联电路,其特征在于,包括信号输出电路,用以输出一预定信号;第一放大电路,连接所述信号输出电路,用以放大所述预定信号形成第一放大信号输出并输出;第一控制电路,所述第一控制电路的驱动端连接所述第一放大电路,用以接受所述第一放大信号,并于所述第一放大信号的驱动下输出第一电压信号;延迟电路,连接所述信号输出电路,用以接受所述预定信号,并对所述预定信号做延迟处理形成一延迟信号输出;第二放大电路,接受经过延迟处理后的所述延迟信号,并对所述延迟信号做放大处理形成一第二放大信号输出;第二控制电路,所述第二控制电路的驱动端连接所述第二放大电路,用以接受所述第二放大信号,并于所述第二放大信号的驱动信输出第二电压信号。 |
地址 |
201501 上海市金山区枫泾镇环东一路65弄2号2213室 |