无铝型II类超晶格长波双势垒红外探测器

摘要

本专利公开了一种无铝型II类超晶格双势垒长波红外探测器，其具体结构为GaSb衬底向上依次为超晶格长波N型接触层、超晶格空穴势垒层、超晶格长波吸收区、超晶格中波电子势垒层和超晶格长波P型接触层，上电极TiPtAu位于超晶格长波N型接触层上，下电极TiPtAu位于超晶格长波P型接触层上。本专利公开的结构利用无铝型双势垒的设计和引入获得暗电流小、探测率高，信噪比大的长波超晶格红外探测器。

主权项

一种无铝型II类超晶格长波双势垒红外探测器，其结构为:自GaSb衬底(6)向上依次是超晶格长波N型接触层(1)、超晶格空穴势垒层(2)、超晶格长波吸收区(3)、超晶格中波电子势垒层(4)和超晶格长波P型接触层(5)，上电极TiPtAu(7)位于超晶格长波N型接触层(1)上，下电极TiPtAu(8)位于超晶格长波P型接触层(5)上，其特征在于：所述的超晶格长波N型接触层(1)的结构为20‑80周期长波超晶格，每周期由4‑6nm InAs和2‑4nm GaSb构成；所述的超晶格空穴势垒层(2)的结构为20‑80周期中波超晶格，每周期由2‑3nm InAs和1‑2nm GaSb构成；所述的超晶格长波吸收区(3)的结构为100‑800周期长波超晶格，每周期由4‑6nm InAs和2‑4nm GaSb构成；所述的超晶格中波电子势垒层(4)的结构为20‑80周期中波超晶格，每周期由2‑3nm InAs和2‑4nm GaSb构成；所述的超晶格长波P型接触层(5)的结构为20‑80周期长波超晶格，每周期由4‑6nm InAs和2‑4nm GaSb构成。