| 摘要 |
산화물 반도체의 조성 또는 결함제어를 하는 것을 목적의 한가지로 하고, 또한, 박막 트랜지스터의 전계 효과 이동도를 높이고, 오프 전류를 억제하면서 충분한 온오프 비를 얻는 것을 다른 목적의 한가지로 한다. InMO(ZnO)(M=Ga, Fe, Ni, Mn, Co 및 Al에서 선택된 1 또는 복수의 원소, m은 0보다 크고 1보다 작은 비정수)이다. 이 경우에 있어서, Zn의 농도가 In 및 M(M=Fe, Ga, Ni 및 Al에서 선택된 1 또는 복수의 원소)보다도 낮게 한다. 또한, 이 산화물 반도체는 아모퍼스 구조를 갖고 있다. 여기에서 m의 값은, 바람직하게는 1 이상 50 미만의 비정수, 더욱 바람직하게는 10 미만의 비정수로 한다. |
