| 发明名称 |
ULTRASONIC TRANSDUCERS IN COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR CMOS WAFERS AND RELATED APPARATUS AND METHODS |
| 摘要 |
상보적 금속 산화물 반도체(CMOS) 웨이퍼들 내에 형성되는 마이크로머시닝된 초음파 트랜스듀서들이, 이러한 디바이스들을 제조하는 방법들과 같이 기술된다. CMOS 웨이퍼의 금속화 층은 희생 릴리즈에 의해 제거될 수 있어서 초음파 트랜스듀서의 공동을 생성할 수 있다. 나머지 층들은 초음파 트랜스듀서의 멤브레인을 형성할 수 있다. |
| 申请公布号 |
KR20160143844(A) |
申请公布日期 |
2016.12.14 |
| 申请号 |
KR20167032201 |
申请日期 |
2015.04.17 |
| 申请人 |
버터플라이 네트워크, 인크. |
发明人 |
로스버그, 조나단, 엠.;파이프, 키스, 지.;산체스, 네바다, 제이.;에일리, 수잔, 에이. |
| 分类号 |
H01L27/092;B06B1/02;H01L21/3213;H01L21/56;H01L21/768;H01L21/8238;H01L23/522;H01L23/528;H01L27/06 |
主分类号 |
H01L27/092 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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