| 发明名称 | 提高击穿电压的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种提高击穿电压的方法，其特征在于：在嵌入式闪存高压量测前，将晶体管的栅极和源极接地，漏极加一电流。通过漏极附近的碰撞电离效应而形成最大通道横向电场，使得漏极区一些高能热载流子注入到栅氧层而产生一些电子空穴对，进而导致漏极区向栅极移动的热载流子的速率和饱和速率下降，使得晶体管击穿电压增大，使得HVNMOS晶体管的击穿电压大于闪存擦写动作的高压上限区域，进而完成HVNMOS的闪存擦写动作，提高HVNMOS器件的产能。 | ||
| 申请公布号 | CN102683216B | 申请公布日期 | 2016.12.14 |
| 申请号 | CN201210143418.9 | 申请日期 | 2012.05.09 |
| 申请人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 任栋梁;钱亮;李冰寒;胡勇 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 郑玮 |
| 主权项 | 一种提高击穿电压的方法，其特征在于：在嵌入式闪存高压量测前，将晶体管的栅极和源极接地，漏极加一电流以在漏极产生最大通道横向电场：所述晶体管为HVNMOS。 | ||
| 地址 | 201203 上海市张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||