| 发明名称 | 一种AlN压电薄膜的中频反应磁控溅射制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及宽禁带半导体的制备领域，特别涉及一种AlN压电薄膜的中频反应磁控溅射制备方法，包括以下步骤：(1)衬底预处理；(2)靶材预处理；(3)通入N<sub>2</sub>、Ar混合气体溅射沉积底层AlN薄膜；(4)通入N<sub>2</sub>、Ar混合气体溅射沉积AlN薄膜，N<sub>2</sub>的含量不变，增加腔体内气体气压。本发明方法制备出的AlN薄膜具有(002)面择优取向生长，表面晶粒尺寸均匀，表面粗糙度小的优点，是适合制作声表面波器件的高质量AlN压电薄膜。 | ||
| 申请公布号 | CN106222611A | 申请公布日期 | 2016.12.14 |
| 申请号 | CN201610841057.3 | 申请日期 | 2016.09.22 |
| 申请人 | 东莞市联洲知识产权运营管理有限公司 | 发明人 | 王文庆 |
| 分类号 | C23C14/06(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I;C23C14/02(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人 | 连平 |
| 主权项 | 一种AlN压电薄膜的中频反应磁控溅射制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)衬底预处理；(2)靶材预处理；(3)通入N<sub>2</sub>、Ar混合气体溅射沉积底层AlN薄膜，溅射沉积时间20min～90min，其中N<sub>2</sub>的含量占20％～30％；(4)通入N<sub>2</sub>、Ar混合气体溅射沉积AlN薄膜，N<sub>2</sub>的含量不变，增加腔体内气体气压，溅射沉积时间5min～15min。 | ||
| 地址 | 523000 广东省东莞市松山湖高新技术产业工发区生产力大厦406 | ||