一种硅片背面抛光方法

摘要

本发明公开了一种硅片背面抛光方法。它包括制绒、扩散、刻蚀、PECVD、丝网印刷、测试步骤，制绒的同时还进行初步背面抛光，初步背面抛光之后使用蚀刻机进行一次以上的后续背面抛光，所述后续背面抛光之后进行常规扩散、刻蚀、PECVD、丝网印刷、测试操作。采用本发明的方法后，两步背面抛光过程叠加形成良好的背面抛光效果；背面反射率有较大的提高，最终电池性能得到了提升，在后续的多次背面抛光过程中，合理调整减薄量，得到不同程度的背面抛光效果，有效了减少边缘的刻蚀线，使方阻上升的阻值不至于过高，使硅片在通过碱槽时避免了高浓度碱液反应时的不稳定性，同时碱槽通过时间延长，进一步提高了抛光效果。

主权项

一种硅片背面抛光方法，包括制绒、扩散、刻蚀、PECVD、丝网印刷、测试步骤，其特征在于：所述制绒的同时还进行初步背面抛光，初步背面抛光之后使用蚀刻机进行一次以上的后续背面抛光，所述后续背面抛光之后进行常规扩散、刻蚀、PECVD、丝网印刷、测试操作。