| 发明名称 | 抗扩散静电夹 | ||
| 摘要 | 在一个实施例中，一种制造静电夹的方法包含：形成绝缘体主体；在所述绝缘体主体上形成电极；以及在所述电极上沉积层堆叠，所述层堆叠包括使用原子层沉积(ALD)而沉积的氧化铝层。 | ||
| 申请公布号 | CN106233451A | 申请公布日期 | 2016.12.14 |
| 申请号 | CN201580006538.6 | 申请日期 | 2015.01.30 |
| 申请人 | 瓦里安半导体设备公司;安堤格里斯公司 | 发明人 | 岱尔·K·史东;理查尔·库肯;林奕宽;朱利安·G·布雷克;留德米拉·史东 |
| 分类号 | H01L21/687(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/687(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人 | 杨文娟;臧建明 |
| 主权项 | 一种制造静电夹的方法，包括：形成绝缘体主体；在所述绝缘体主体上形成电极；以及在所述电极上沉积层堆叠，所述层堆叠包括使用原子层沉积(ALD)而沉积的氧化铝层。 | ||
| 地址 | 美国麻萨诸塞州格洛斯特郡都利路35号 | ||