| 主权项 |
1.一种发光二极体,包括: 一基材; 一图案化半导体层,配置于该基材上,该图案化半 导体层适于发出一第一光线; 二接触垫,配置于该图案化半导体层上; 一介电层,覆盖该图案化半导体层,且暴露出部分 该些接触垫;以及 一萤光薄膜,配置于该介电层上,其中该萤光薄膜 适于经由该第一光线的照射而发出与该第一光线 不同波长之一第二光线。 2.如申请专利范围第1项所述之发光二极体,其中该 第一光线之波长包括蓝光波长,而该第二光线之波 长包括黄光波长。 3.如申请专利范围第1项所述之发光二极体,其中该 第一光线之波长包括紫外光波长,而该第二光线之 波长包括红光波长、绿光波长、蓝光波长或上述 之组合。 4.如申请专利范围第1项所述之发光二极体,其中该 图案化半导体层包括: 一第一型掺杂半导体层,配置于该基材上; 一发光层,配置于该第一型掺杂半导体层上,且暴 露出部分该第一型掺杂半导体层,其中该发光层适 于发出该第一光线;以及 一第二型掺杂半导体层,配置于该发光层上,其中 该些接触垫系分别配置于该第一与第二型掺杂半 导体层上。 5.如申请专利范围第4项所述之发光二极体,其中该 第一型掺杂半导体层包括: 一第一接触层,配置于该基材上;以及 一第一束缚层,配置于该第一接触层上,且暴露出 部分该第一接触层,以使该些接触垫其中之一配置 于该第一接触层上。 6.如申请专利范围第4项所述之发光二极体,其中该 第二型掺杂半导体层包括: 一第二束缚层,配置于该发光层上;以及 一第二接触层,配置于该第二束缚层上,且该些接 触垫其中之一系配置于该第二接触层上。 7.如申请专利范围第4项所述之发光二极体,其中该 第一型掺杂半导体层为N型半导体层,而该第二型 掺杂半导体层为P型半导体层。 8.如申请专利范围第1项所述之发光二极体,更包括 一反射层,配置于该基材相对于该图案化半导体层 的表面上。 9.如申请专利范围第1项所述之发光二极体,更包括 一透明导电层,覆盖部分该图案化半导体层,且位 于该介电层下方及该些接触垫其中之一下方。 10.一种发光二极体封装结构,包括: 一承载器; 一发光二极体,配置于该承载器上,且与该承载器 电性连接,其中该发光二极体包括: 一基材; 一图案化半导体层,配置于该基材上,该图案化半 导体层适于发出一第一光线; 二接触垫,配置于该图案化半导体层上; 一介电层,覆盖该图案化半导体层,且暴露出部分 该些接触垫;以及 一萤光薄膜,配置于该介电层上,其中该萤光薄膜 适于经由该第一光线的照射而发出与该第一光线 不同波长之一第二光线。 11.如申请专利范围第10项所述之发光二极体封装 结构,其中该第一光线之波长包括蓝光波长,而该 第二光线之波长包括黄光波长。 12.如申请专利范围第10项所述之发光二极体封装 结构,其中该第一光线之波长包括紫外光波长,而 该第二光线之波长包括红光波长、绿光波长、蓝 光波长或上述之组合。 13.如申请专利范围第10项所述之发光二极体封装 结构,其中该图案化半导体层包括: 一第一型掺杂半导体层,配置于该基材上; 一发光层,配置于该第一型掺杂半导体层上,且暴 露出部分该第一型掺杂半导体层,其中该发光层适 于发出该第一光线;以及 一第二型掺杂半导体层,配置于该发光层上,其中 该些接触垫系分别配置于该第一与第二型掺杂半 导体层上。 14.如申请专利范围第13项所述之发光二极体封装 结构,其中该第一型掺杂半导体层包括: 一第一接触层,配置于该基材上;以及 一第一束缚层,配置于该第一接触层上,且暴露出 部分该第一接触层,以使该些接触垫其中之一配置 于该第一接触层上。 15.如申请专利范围第13项所述之发光二极体封装 结构,其中该第二型掺杂半导体层包括: 一第二束缚层,配置于该发光层上;以及 一第二接触层,配置于该第二束缚层上,且该些接 触垫其中之一系配置于该第二接触层上。 16.如申请专利范围第15项所述之发光二极体封装 结构,其中该第一型掺杂半导体层为N型半导体层, 而该第二型掺杂半导体层为P型半导体层。 17.如申请专利范围第10项所述之发光二极体封装 结构,更包括一反射层,配置于该基材相对于该图 案化半导体层的表面上。 18.如申请专利范围第10项所述之发光二极体封装 结构,更包括一透明导电层,覆盖部分该图案化半 导体层,且位于该介电层下方及该些接触垫其中之 一下方。 图式简单说明: 图1绘示为习知白光发光二极体封装结构之剖面示 意图。 图2绘示本发明一实施例之发光二极体封装结构的 示意图。 图3绘示图2中发光二极体的结构示意图。 图4绘示本发明另一实施例之发光二极体的结构示 意图。 |
