| 主权项 |
1.一种加热器晶片,包括一基板以及其上之加热器 薄膜;其中,该加热器薄膜包括至少一高温加热区, 至少一低温加热区及至少一非加热区,以及连接两 加热区之桥段;且该桥段以绝缘区隔绝成两极,使 包括所有加热区之加热器薄膜形成回路。 2.如申请专利范围第1项之加热器晶片,其中该至少 一高温加热区及至少一低温加热区系形成环状,并 具有不同之宽度,以产生不同加热效果。 3.如申请专利范围第1项之加热器晶片,另包括一电 源,连结到该加热器薄膜,对该加热器通以电流后, 使加热器发热。 4.如申请专利范围第3项之加热器晶片,其中之电源 系可调控。 5.如申请专利范围第1项之加热器晶片,其中该加热 器系透明电极。 6.如申请专利范围第5项之加热器晶片,其中该加热 器系ITO电极。 7.如申请专利范围第1项之加热器晶片,其中该基板 系透明材料制成。 8.如申请专利范围第7项之加热器晶片,其中该基板 系玻璃基板。 9.一种生化反应晶片,系包括相结合或相接触之一 微通道晶片及一加热器晶片;其中: 该加热器晶片包括一基板以及其上之加热器薄膜; 其中,该加热器薄膜包括至少一高温加热区,至少 一低温加热区及至少一非加热区,以及连接两加热 区之桥段;且该桥段以绝缘区隔绝成两极,使包括 所有加热区之加热器薄膜形成回路;且 该微通道晶片上形成流体通道,使该流体通道在两 晶片结合后可与该加热器依预定方式重叠,而令流 体通道依所需之顺序,行经该加热器薄膜之不同加 热区。 10.如申请专利范围第9项之生化反应晶片,该至少 一高温加热区及至少一低温加热区系形成环状,并 具有不同之宽度,以产生不同加热效果。 11.如申请专利范围第9项之生化反应晶片,另包括 一电源,连结到该加热器薄膜,对该加热器通以电 流后,使加热器发热。 12.如申请专利范围第11项之生化反应晶片,其中之 电源系可调控。 13.如申请专利范围第9项之生化反应晶片,其中该 加热器系透明电极。 14.如申请专利范围第13项之生化反应晶片,其中该 加热器系ITO电极。 15.如申请专利范围第9项之生化反应晶片,其中该 加热器晶片之基板系透明材料制成。 16.如申请专利范围第15项之生化反应晶片,其中该 加热器晶片之基板系玻璃基板。 17.如申请专利范围第9项之生化反应晶片,其中该 微通道晶片之基板系透明材料制成。 18.如申请专利范围第17项之生化反应晶片,其中该 微通道晶片之基板系PMMA基板。 19.如申请专利范围第9项之生化反应晶片,另包括 一流体驱动装置,连结至该流体通道,以控制该流 体通道内之流体流动。 20.如申请专利范围第9项之生化反应晶片,其中该 流体通道包括一单一流体出入口及一可被流体封 闭之气室。 21.如申请专利范围第20项之生化反应晶片,其中藉 由提升通道内部压力以减少液体蒸发。 22.如申请专利范围第9项之生化反应晶片,其中该 流体通道表面至少一部份经处理,以使流体在其中 顺畅流动。 23.如申请专利范围第9项之生化反应晶片,其中藉 由升高通道内部压力以减少液体蒸发。 24.如申请专利范围第22项之生化反应晶片,其中该 流体通道表面至少一部份为一铁氟龙薄膜包覆。 图式简单说明: 第1图表示本发明生化反应晶片一实施例之结构图 。 第2图表示本发明生化反应晶片所适用之加热器晶 片之平面示意图。 第3图显示适用在本发明之微通道晶片之平面示意 图。 |
