| 发明名称 | 具有镶嵌位线的半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括：第一导电图案，所述第一导电图案彼此相邻，并由包括第一沟槽和第二沟槽的沟槽隔离；第二导电图案，所述第二导电图案形成在所述第一沟槽中；以及绝缘图案，所述绝缘图案部分地填充所述第二导电图案之下的所述第二沟槽，并形成在所述第一导电图案与所述第二导电图案之间。 | ||
| 申请公布号 | CN102969317B | 申请公布日期 | 2016.12.14 |
| 申请号 | CN201210115760.8 | 申请日期 | 2012.04.19 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 廉胜振;郭鲁正;朴昌宪;黄善焕 |
| 分类号 | H01L27/105(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I;G11C7/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/105(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人 | 郭放;许伟群 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：第一导电图案，所述第一导电图案彼此相邻，并由包括第一沟槽和第二沟槽的沟槽隔离；第二导电图案，所述第二导电图案形成在所述第一沟槽中；以及绝缘图案，所述绝缘图案填充所述第二导电图案之下的所述第二沟槽，并形成在所述第一导电图案与所述第二导电图案之间，其中，所述第二导电图案包括接触有源区的突出部分。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||