| 发明名称 | 功率模块及功率模块的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体元件准确地接合于电路层的一面，且热循环及动力循环可靠性优异的功率模块及功率模块的制造方法。本发明的功率模块（1）具备在绝缘层（11）的一面配设有电路层（12）的功率模块用基板（10）和搭载于电路层（12）上的半导体元件（3），其特征在于，在电路层（12）的一面形成有由含有玻璃成分的含玻璃Ag膏的烧成体构成的第1烧成层（31），在该第1烧成层（31）之上形成由氧化银还原的Ag烧成体构成的第2烧成层（38）。 | ||
| 申请公布号 | CN102810524B | 申请公布日期 | 2016.12.14 |
| 申请号 | CN201210167770.6 | 申请日期 | 2012.05.28 |
| 申请人 | 三菱综合材料株式会社 | 发明人 | 仙石文衣理;西元修司;西川仁人;长友义幸 |
| 分类号 | H01L23/488(2006.01)I;H01L21/48(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/488(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人 | 康泉;王珍仙 |
| 主权项 | 一种功率模块，具备在绝缘层的一面配设有电路层的功率模块用基板和搭载于所述电路层上的半导体元件，其特征在于，在所述电路层的一面形成有由含有玻璃成分的含玻璃Ag膏的烧成体构成的第1烧成层，在该第1烧成层上形成有由氧化银还原的Ag烧成体构成的第2烧成层，所述第1烧成层的厚度为1.01μm以上且105μm以下，所述第2烧成层的厚度为5μm以上且50μm以下。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||