| 发明名称 | 带贯通电极的半导体芯片用粘接膜 | ||
| 摘要 | 本发明的目的在于，提供一种用于在半导体晶片上层叠多个带贯通电极的半导体芯片的、能够在抑制空隙的同时良好地连接贯通电极且能够抑制在半导体芯片的周围突出的毛刺的长度的带贯通电极的半导体芯片用粘接膜。本发明的带贯通电极的半导体芯片用粘接膜，用于在半导体晶片上层叠多个带贯通电极的半导体芯片，其中，最低熔融粘度为50～2500Pa·s，且140℃的触变指数为8以下。 | ||
| 申请公布号 | CN106233463A | 申请公布日期 | 2016.12.14 |
| 申请号 | CN201580020776.2 | 申请日期 | 2015.03.25 |
| 申请人 | 积水化学工业株式会社 | 发明人 | 永田麻衣;竹田幸平;江南俊夫 |
| 分类号 | H01L25/065(2006.01)I;H01L21/52(2006.01)I;H01L25/07(2006.01)I;H01L25/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L25/065(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 雒运朴 |
| 主权项 | 一种带贯通电极的半导体芯片用粘接膜，用于在半导体晶片上层叠多个带贯通电极的半导体芯片，该带贯通电极的半导体芯片用粘接膜的特征在于，最低熔融粘度为50～2500Pa·s，且140℃的触变指数为8以下。 | ||
| 地址 | 日本大阪 | ||