发明名称 |
一种紫外和红外双色焦平面探测器阵列 |
摘要 |
本专利公开了一种紫外和红外双色焦平面探测器阵列。该结构单片集成了Pt/CdS紫外焦平面和InSb红外焦平面,Pt/CdS紫外焦平面受到正面入射,由于红外辐射可以透过CdS到达InSb吸收层,从而可以实现紫外辐射和红外辐射的同时探测。Pt/CdS紫外与InSb红外双色焦平面阵列的工作波段为300~550nm和2.9~5.7μm。本专利的优点在于,Pt/CdS紫外与InSb红外双色焦平面阵列结构中紫外焦平面与红外焦平面距离很近从而共焦,并且紫外红外光敏元上下对齐有利于光学系统的设计。本专利对于实际双色器件的优化设计和制备都有着十分重要的意义。 |
申请公布号 |
CN205810842U |
申请公布日期 |
2016.12.14 |
申请号 |
CN201620559122.9 |
申请日期 |
2016.06.12 |
申请人 |
中国科学院上海技术物理研究所 |
发明人 |
胡伟达;白杰;陈效双;陆卫 |
分类号 |
H01L31/103(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/103(2006.01)I |
代理机构 |
上海新天专利代理有限公司 31213 |
代理人 |
郭英 |
主权项 |
一种紫外和红外双色焦平面探测器阵列,包括n型衬底InSb吸收层(4)SiO<sub>2</sub>阻挡层(3),n型CdS吸收层(2),p型InSb吸收层(5),其特征在于:所述的紫外红外双色焦平面探测器阵列的结构为:在n型衬底InSb吸收层(4)上面依次为SiO<sub>2</sub>阻挡层(3)、n型CdS吸收层(2)和Pt薄膜(1),紫外焦平面每个探测器像元所对应的电极(6)位于Pt薄膜(1)上,紫外焦平面的公共电极(7)位于n型CdS吸收层(2)上;在n型衬底InSb吸收层(4)背面为p型InSb吸收层(5),红外焦平面探测器像元对应的电极(8)位于p型InSb吸收层(5)上,红外焦平面的公共电极(9)位于n型衬底InSb吸收层(4)上。 |
地址 |
200083 上海市虹口区玉田路500号 |