发明名称 単列多層構造に基づく電界式タイムグレーティング直線変位センサ
摘要 【課題】単列多層構造に基づく電界式タイムグレーティング直線変位センサを提供する。【解決手段】プローブベース(1)とスケールベース(2)の両部分を備え、プローブベース(1)上には1列の等間隔な双正弦形電極(1−1)を有し、スケールベース(2)上には、1列の矩形電極(2−1)を有し、電極(2−1)底部にはスケール導線(2−2)を有し、電極(2−1)と導線(2−2)の間には絶縁層を有し、多層構造を形成する。プローブベース(1)とスケールベース(2)は上下並行に相対して設置され、一定間隔δだけ離間している。プローブベース(1)とスケールベース(2)は相対的に移動する。スケールベース(2)の1周期内の4つの電極は、それぞれ位相が0°、90°、180°、270°の等振幅、等周波数の正弦曲線励磁電圧に連結し、プローブベース上で生じる進行波信号Uoと1経路の位相に固定した同周波数基準信号Urの位相を比較する。両経路の信号の位相差は内挿されたクロックパルスにより表示され、変換により直線変位を得る。本変位センサは、消費電力が低く、精度が高く、構造が簡単で、要求される機械の取付け精度が低く、測定範囲が広く、ナノメートル精度の測定を実現できる。【選択図】図1(a)
申请公布号 JP2016538554(A) 申请公布日期 2016.12.08
申请号 JP20160533612 申请日期 2014.07.28
申请人 重慶理工大学 发明人 劉小康;彭東林;彭凱;鄭方燕
分类号 G01D5/241 主分类号 G01D5/241
代理机构 代理人
主权项
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