| 主权项 |
1.一种发光二极体之结构改良,系在发光二极体之 封装体顶面建构有用以产生聚光作用的光学机制; 其改良在于: 该光学机制系由若干两侧角度不对等之V型沟槽所 构成,使相邻的V型沟槽之间形成两个非等角度之 平面出光面。 2.一种发光二极体之结构改良,系在发光二极体之 封装体顶面建构有用以产生聚光作用的光学机制; 其改良在于: 该光学机制系由若干弧形沟槽所构成,使切割成若 干曲面状之出光面。 3.一种发光二极体之结构改良,系在发光二极体之 封装体顶面建构有用以产生聚光作用的光学机制; 其改良在于: 该光学机制系由若干建构在封装体表面的浮凸网 点所构成。 4.如请求项1、2或3所述发光二极体之结构改良,其 中该封装体顶面系为平板状。 5.如请求项1、2或3所述发光二极体之结构改良,其 中该封装体顶面系为球面状。 6.如请求项1、2或3所述发光二极体之结构改良,其 中该封装体中设有复数扩散粒子。 7.一种发光二极体之结构改良,系发光二极体之发 光晶片与封装体间系具有空气层,而封装体靠近空 气层处系设有用以产生聚光效果的光学机制。 8.如请求项7所述发光二极体之结构改良,其中,该 光学机制系由若干两侧角度不对等之V型沟槽所构 成。 9.如请求项7所述发光二极体之结构改良,其中,该 光学机制系由若干弧形沟槽所构成。 10.如请求项7所述发光二极体之结构改良,其中,该 光学机制系由若干建构在封装体表面的浮凸网点 所构成。 图式简单说明: 第一图系为本创作第一实施例之发光二极体外观 立体图。 第二图系为本创作第一实施例之发光二极体结构 剖视图。 第三图系为本创作中V型沟槽之放大示意图。 第四图系为本创作第二实施例之发光二极体结构 剖视图。 第五图系为本创作第三实施例之发光二极体结构 剖视图。 第六图系为本创作第四实施例之发光二极体结构 剖视图。 第七图系为本创作第五实施例之发光二极体结构 剖视图。 第八图系为本创作第四实施例之发光二极体结构 立体图。 第九图系为本创作第六实施例之发光二极体结构 剖视图。 第十图系为本创作第七实施例之发光二极体结构 剖视图。 |
