具有可控补偿区的晶体管

摘要

本发明提供了一种具有可控补偿区的晶体管，其包括至少一个晶体管单元，该晶体管单元包括：半导体本体中的源区、漏区、本体区以及漂移区，其中，本体区被配置在源区和漏区之间，并且漂移区被配置在本体区和漏区之间。该晶体管单元还包括：补偿区，被配置在漂移区中；源电极，与源区和本体区电接触；栅电极，被配置为邻近本体区，并且通过栅电介质与本体区介电绝缘；耦合配置，包括控制端子，并且被构造为根据在控制端子处接收到的控制信号将补偿区电耦合至本体区、源区、源电极和栅电极中的至少一个。

主权项

一种MOSFET，包括至少一个晶体管单元，所述至少一个晶体管单元包括：源区、漏区、本体区以及漂移区，其中，所述本体区被配置在所述源区和所述漏区之间，并且所述漂移区被配置在所述本体区和所述漏区之间；补偿区，被配置在所述漂移区中并且与所述本体区具有距离；源电极，与所述源区和所述本体区电接触；栅电极，被配置为邻近所述本体区，并且通过栅电介质与所述本体区介电绝缘；可变电阻器或电子开关，其中，所述电子开关包括控制端子，并且所述电子开关被构造为根据在所述控制端子处接收到的控制信号将所述补偿区电耦合至所述本体区、所述源区和所述源电极中的至少一个。