发明名称 |
一种基于粗化外延片的LED芯片的电极色差改善方法 |
摘要 |
本发明提出一种基于粗化外延片的LED芯片的电极色差改善方法,将供后续制备电极的让位区域的GaN外延片表面蚀刻至平整,使其表面粗糙度相同,在制备电极后无色差,完全消除色差异常,节省了由该色差异常产生的成本;且后续制备透明导电层与电极,该区域平整连接,电流阻力小、扩散快,光反射概率大,LED芯片的光电性也得到一定程度上的改善。 |
申请公布号 |
CN106206874A |
申请公布日期 |
2016.12.07 |
申请号 |
CN201610659863.9 |
申请日期 |
2016.08.12 |
申请人 |
泉州市三星消防设备有限公司 |
发明人 |
肖君岩 |
分类号 |
H01L33/00(2010.01)I;H01L33/22(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/00(2010.01)I |
代理机构 |
北京海虹嘉诚知识产权代理有限公司 11129 |
代理人 |
巩固 |
主权项 |
一种基于粗化外延片的LED芯片的电极色差改善方法,其特征在于:包括如下步骤:S1,提供一粗化GaN外延片,该GaN外延片包括:蓝宝石衬底,依次层叠设置在该蓝宝石衬底上的N型层、发光层及粗化P型层;S2,在部分粗化P型层表面蚀刻至裸露出N型层;S3,在粗化P型层与裸露出的N型层的表面制备金属保护层,并分别在粗化P型层与N型层上裸露出供后续制备电极的让位区域;S4,置于碱性蚀刻液中进行蚀刻,将S3中裸露在金属保护层外的让位区域的GaN表面蚀刻至平整;S5,去除金属保护层;S6,制备透明导电层及P、N电极,且P、N电极分别对应设置在让位区域的位置上。 |
地址 |
362300 福建省泉州市南安市成功科技工业园 |