发明名称 |
形成图案的方法 |
摘要 |
一种形成图案的方法包括:在下面层上形成引导图案,在引导图案和下面层上形成自组装嵌段共聚物(BCP)层,将自组装BCP层退火以形成被交替地且重复地排列的第一聚合物嵌段域和第二聚合物嵌段域,以及选择性地去除第一聚合物嵌段域。引导图案由可显影抗反射材料形成。另外,引导图案彼此间隔开,使得引导图案中的每个的宽度小于引导图案之间的距离。 |
申请公布号 |
CN106206261A |
申请公布日期 |
2016.12.07 |
申请号 |
CN201510210383.X |
申请日期 |
2015.04.29 |
申请人 |
爱思开海力士有限公司 |
发明人 |
潘槿道;卜喆圭;许仲君;金弘益 |
分类号 |
H01L21/027(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/027(2006.01)I |
代理机构 |
北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 |
代理人 |
俞波;荣文英 |
主权项 |
一种形成图案的方法,所述方法包括:在设置在半导体衬底上的下面层上形成可显影抗反射层;在所述可显影抗反射层上形成光致抗蚀剂层;将所述光致抗蚀剂层的部分和所述可显影抗反射层的部分选择性地暴露于光;选择性地去除所述光致抗蚀剂层的未曝光部分,以形成暴露出所述可显影抗反射层的未曝光部分的光致抗蚀剂图案;选择性地去除所述可显影抗反射层的曝光部分,以形成引导图案;形成填充所述引导图案之间的空间的中性层;在所述引导图案和所述中性层上形成自组装嵌段共聚物BCP层;将所述自组装BCP层退火以形成交替地且重复地排列的第一聚合物嵌段域和第二聚合物嵌段域;以及选择性地去除所述第一聚合物嵌段域。 |
地址 |
韩国京畿道 |