| 发明名称 | 一种LC-VCO的仿真方法及系统 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种LC-VCO的仿真方法，包括：分别获得LC-VCO仿真器模型的NMOS器件和PMOS器件的跨导效率g<sub>m</sub>/I<sub>d</sub>与器件参数的关系曲线；设定初始跨导效率(g<sub>m</sub>/I<sub>d</sub>)<sub>0</sub>；根据关系曲线，获得NMOS器件在(g<sub>m</sub>/I<sub>d</sub>)<sub>0</sub>+△n下的N器件电性参数值，获得PMOS器件在(g<sub>m</sub>/I<sub>d</sub>)<sub>0</sub>-△n下的P器件电性参数值；分别获得N器件电性参数值和P器件电性参数值下的器件参数值；以所述器件参数值进行电路等效模型的仿真，获得仿真结果；判断是否进行迭代。该方法使得低频偏处的相位噪声获得最优值，从而改善低频偏出的相位噪声。 | ||
| 申请公布号 | CN106202591A | 申请公布日期 | 2016.12.07 |
| 申请号 | CN201510214130.X | 申请日期 | 2015.04.29 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 王海永;霍允杰;陈岚 |
| 分类号 | G06F17/50(2006.01)I | 主分类号 | G06F17/50(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京维澳专利代理有限公司 11252 | 代理人 | 党丽;江怀勤 |
| 主权项 | 一种LC‑VCO的仿真方法，其特征在于，包括：S01，分别获得LC‑VCO仿真器模型的NMOS器件和PMOS器件的跨导效率g<sub>m</sub>/I<sub>d</sub>与器件参数的关系曲线，其中，g<sub>m</sub>为跨导，I<sub>d</sub>为漏电流；S02，设定初始跨导效率(g<sub>m</sub>/I<sub>d</sub>)<sub>0</sub>；S03，保持I<sub>d</sub>不变，对于NMOS器件，根据关系曲线，获得NMOS器件在(g<sub>m</sub>/I<sub>d</sub>)<sub>n</sub>下的N器件电性参数值，(g<sub>m</sub>/I<sub>d</sub>)<sub>n</sub>＝(g<sub>m</sub>/I<sub>d</sub>)<sub>0</sub>+△n；对于PMOS器件，根据关系曲线，获得PMOS器件在(g<sub>m</sub>/I<sub>d</sub>)<sub>p</sub>下的P器件电性参数值，(g<sub>m</sub>/I<sub>d</sub>)<sub>p</sub>＝(g<sub>m</sub>/I<sub>d</sub>)<sub>0</sub>‑△n，其中△n为跨导效率的变化量；S04，分别获得N器件电性参数值和P器件电性参数值下的器件参数值；S05，以所述器件参数值进行电路等效模型的仿真，获得仿真结果；S06，判断是否进行迭代，若是，重新设定△n，并重复步骤S03‑S05，若否，结束仿真。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||