具有金属层的半导体装置及其制造方法

摘要

本发明公开了一种具有金属层的半导体装置及其制造方法，该种半导体装置包括基板、高压阱、源极阱、源极区、隔离层及金属层。基板具第一导电型，高压阱形成于基板中并具第二导电型，源极阱形成于高压阱中并具第一导电型，源极区形成于源极阱中，隔离层形成于高压阱上并与源极阱分开，栅极层形成于基板上，并自源极阱的边缘部分上连续延伸至隔离层的边缘部分上，金属层形成于基板与隔离层上。金属层包括第一金属部分、第二金属部分及第三金属部分，第一金属部分与栅极层的边缘部分及隔离层的侧边部分重叠，第二金属部分与栅极层部分重叠并电性接触，第三金属部分与源极区部分重叠并电性接触。

主权项

一种半导体装置，包括：一基板，具有一第一导电型；一高压阱，具有一第二导电型，并形成于该基板中；一源极阱，具有该第一导电型，并形成于该高压阱中；一源极区，形成于该源极阱中；一隔离层，形成于该高压阱上方，并与该源极阱分开；一栅极层，形成于该基板上方，并自该源极阱的一边缘部分上方连续延伸至该隔离层的一边缘部分上方；以及一金属层，形成于该基板与该隔离层上方，该金属层包括一第一金属部分、一第二金属部分及一第三金属部分，该第一金属部分与该栅极层的一边缘部分及该隔离层的一侧边部分重叠，该第二金属部分与该栅极层部分重叠并电性接触该栅极层，该第三金属部分与该源极区部分重叠并电性接触该源极区。