发明名称 |
适用于存储单元的具备独立三栅结构的FinFET器件 |
摘要 |
本发明公开了一种适用于存储单元的具备独立三栅结构的新型FinFET器件,该器件结构包括:衬底、氧化物层、鳍形结构、栅极金属层、栅极介质层及侧墙,栅极介质层包括:设置在鳍形结构左侧的左侧栅极介质层、设置在鳍形结构右侧的右侧栅极介质层、以及设置在鳍形结构顶部的顶部栅极介质层,顶部栅极介质层为U形,由于采用U型结构的栅极介质层,降低了顶部栅极金属层与底部栅极金属层之间的寄生电容,提高了顶部栅极金属层对沟道的控制能力。本发明提出的具备独立三栅结构的新型FinFET器件表现出的栅控特性,可实现SRAM存储单元所需的较高读取静态噪声容限和写入能力,并有效提高SRAM的读写稳定性,从而进一步提高静态存储电路的性能。 |
申请公布号 |
CN106206689A |
申请公布日期 |
2016.12.07 |
申请号 |
CN201610596332.X |
申请日期 |
2016.07.27 |
申请人 |
华东师范大学 |
发明人 |
刘程晟;郑芳林;孙立杰;石艳玲;李小进;孙亚宾 |
分类号 |
H01L29/423(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L27/11(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/423(2006.01)I |
代理机构 |
上海麦其知识产权代理事务所(普通合伙) 31257 |
代理人 |
董红曼 |
主权项 |
一种适用于存储单元的具备独立三栅结构的FinFET器件,其特征在于,包括如下结构:衬底(1);氧化物层(2),其位于所述衬底(1)的表面,中央具有空置的条状区域;鳍形结构(3),其透过所述空置的条状区域与所述衬底(1)连接,形成中央的沟道区及两端的源区(3a)和漏区(3b);栅极介质层(5),其垂直设置在所述鳍形结构(3)的沟道区上且包围所述沟道区;所述栅极介质层(5)包括:设置在所述鳍形结构(3)左侧的左侧栅极介质层(5a)、设置在所述鳍形结构(3)右侧的右侧栅极介质层(5b)、以及设置在所述鳍形结构(3)顶部的顶部栅极介质层(5c),所述顶部栅极介质层(5c)为U形;栅极金属层(4),其包括:左侧栅极金属层(4a),其位于所述顶部栅极介质层(5c)、所述左侧栅极介质层(5a)及所述氧化物层(2)之间;右侧栅极金属层(4b),其位于所述顶部栅极介质层(5c)、所述右侧栅极介质层(5b)及所述氧化物层(2)之间;顶部栅极金属层(4c),其位于所述顶部栅极介质层(5c)的上方;及侧墙(10),其设置在所述栅极介质层(5)与所述栅极金属层(4)的两侧。 |
地址 |
200062 上海市普陀区中山北路3663号 |