发明名称 一种集成电路封装结构的制造方法
摘要 本发明提供了一种集成电路封装结构的制造方法,其包括在电磁芯片对应于多个电极的位置形成第一通孔,在环绕电磁芯片的周圈形成第二通孔;通过激光沿着第二通孔的中心进行单体化所述封装体,并且切割后的所述第二通孔5的宽度大于第一通孔的宽度;得到封装单体,其中,第二通孔包括分别与多个所述电极相连的、互相电隔离的多个部分。本发明通过控制外围电路层的面积和厚度,形成电子屏蔽较好的封装体,在后续集成电路封装中无需再增加电磁屏蔽罩等构件,减小了封装体积,增强了封装的灵活性。
申请公布号 CN106206332A 申请公布日期 2016.12.07
申请号 CN201610558795.7 申请日期 2016.07.17
申请人 王培培 发明人 王培培
分类号 H01L21/56(2006.01)I;H01L23/552(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I 主分类号 H01L21/56(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种集成电路封装结构的制造方法,其包括以下步骤:(1)提供一大面积硬质的临时基板;(2)将电磁元件固定于所述临时基板上,该电磁元件是容易受电磁干扰或发出电磁波的半导体元件,其固定方式可通过固定胶固定;(3)在所述临时基板上设置第一封装材料,并完全覆盖电磁元件;(4)固化所述封装材料后,减薄所述封装材料至合适的厚度但并不漏出所述电磁元件;(5)在电磁芯片对应于多个电极的位置形成第一通孔,在环绕电磁芯片的周圈形成第二通孔,所述第一通孔的截面积和所述电极的面积相同;(6)在封装材料上形成导电材料,并填充满所述第一和第二通孔,然后仅刻蚀封装材料上的第一导电材料,形成电连接第一和第二通孔的线路层;(7)去除临时基板1,通过激光沿着第二通孔的中心进行单体化所述封装体,并且切割后的所述第二通孔5的宽度大于第一通孔的宽度;(8)得到封装单体,其中,第二通孔包括分别与多个所述电极相连的、互相电隔离的多个部分;(9)提供一个具有凹槽的散热基板,在凹槽底部涂覆一层导热绝缘胶,利用该导热绝缘胶将封装单体固定在凹槽底部,并利用第二封装材料填充并密封所述封装单体;(10)在偏离所述电磁芯片中心位置处钻孔形成暴露所述线路层的第三通孔并填充导电物质以形成外连端子,并通过外连端子与其他电子元件相耦合,形成集成电路封装结构;其特征在于:切割后的第二通孔的宽度为大于或等于1mm。
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