发明名称 |
一种高真空变温有机半导体器件测量腔 |
摘要 |
本实用新型公布了一种高真空变温有机半导体器件测量腔,其特征是它由腔体、低温样品台、高温样品台和抽真空系统组成。其中抽真空系统与腔体相连,为其提供高真空度。提供低于室温测量环境的低温样品台和高于室温测量环境的高温样品台置于腔体之内。低温样品台采用半导体制冷片产生低温,由温度控制器实现‑50℃至室温的温度变化。高温样品台的高温由电加热器产生,经温度控制器实现室温至500℃的温度变化。腔体上具有多路气体输入口,与微调阀配合,可有效且可控地改变测量腔内的气氛种类和压力,实现不同气氛下对有机半导体器件的测量;腔体配备多电极法兰,用于电源的输入和电信号的输入和输出;腔体配备石英窗作为入射和出射光的窗口及观察窗口。 |
申请公布号 |
CN205790073U |
申请公布日期 |
2016.12.07 |
申请号 |
CN201620452810.5 |
申请日期 |
2016.05.18 |
申请人 |
兰州大学 |
发明人 |
彭应全;许昆;吕文理 |
分类号 |
H01L51/00(2006.01)I;H01L51/48(2006.01)I;H01L51/56(2006.01)I |
主分类号 |
H01L51/00(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种高真空变温有机半导体器件测量腔,它由腔体、低温样品台、高温样品台和抽真空系统组成,抽真空系统与腔体相连,为其提供高真空度;低温样品台和高温样品台置于腔体之内,其中低温样品台为处于真空环境的样品提供低于室温的测量环境,高温样品台为处于真空环境的样品提供高于室温的测量环境。 |
地址 |
730000 甘肃省兰州市城关区天水南路222号兰州大学3002信箱 |