发明名称 聚矽薄膜半导体之底层
摘要 半导体装置中多晶质矽通常在高温退火温度下结晶出。通常需要低热传导性底层以保护基板以及矽避免高温之结晶。本发明提出改良矽结晶之新颖的底层以及在退火处理过程中保护基板。半导体装置为薄膜半导体,其适合使用于液晶显示器,发射光线二极体,影像感测器以及光伏特电池。
申请公布号 TW200423239 申请公布日期 2004.11.01
申请号 TW092126727 申请日期 2003.09.25
申请人 康宁公司 发明人 关拉姆葛之曼;梭纳麦臣
分类号 H01L21/30 主分类号 H01L21/30
代理机构 代理人 吴洛杰
主权项
地址 美国