| 摘要 |
本发明揭示一种制造高压双闸装置之方法，该方法藉由在形成一氮化物膜之选择性蚀刻制程之后形成一高压氧化物膜，该高压双闸装置就可限制损坏装置隔离层。该方法包括下列步骤：在一具有一低压装置形成区及一高压装置形成区的半导体基板之该高压装置形成区中，形成高压n型井区及高压p型井区；在该等井区中形成一高压NMOS电晶体的源极/汲极以及一高压PMOS电晶体的源极/汲极；藉由STI形成在一装置隔离层中形成一装置隔离层，并且在该整个表面上形成一缓冲氮化物膜；在该缓冲氮化物膜上形成一高压闸氧化物膜，并且仅在该高压装置形成区中保留该高压闸氧化物膜；以及在该低压装置形成区中形成低压n型井区及低压p型井区，并且在该等表面上形成一低压闸氧化物膜。 |
