| 发明名称 | 一种晶圆厚度的测量方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种晶圆厚度的测量方法。所述方法包括步骤S1：提供晶圆，并在所述晶圆上形成胶带，以保护所述晶圆；步骤S2：在所述晶圆的边缘形成凹槽；步骤S3：测量所述凹槽的深度H1；步骤S4：对所述晶圆进行研磨打薄，以降低所述晶圆的厚度；步骤S5：再次测量所述凹槽的深度H2；步骤S6：根据所述步骤S3中所述深度H1和所述步骤S5中的所述深度H2计算所述晶圆研磨去除的量。本发明的优点在于：1、提高了研磨厚度量测精准度。2、为后续其他工艺提供了准确的数据和晶圆。 | ||
| 申请公布号 | CN106206342A | 申请公布日期 | 2016.12.07 |
| 申请号 | CN201510216036.8 | 申请日期 | 2015.04.30 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 郑超 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/66(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 高伟;冯永贞 |
| 主权项 | 一种晶圆厚度的测量方法，包括：步骤S1：提供晶圆，并在所述晶圆上形成胶带，以保护所述晶圆；步骤S2：在所述晶圆的边缘形成凹槽；步骤S3：测量所述凹槽的深度H1；步骤S4：对所述晶圆进行研磨打薄，以降低所述晶圆的厚度；步骤S5：再次测量所述凹槽的深度H2；步骤S6：根据所述步骤S3中所述深度H1和所述步骤S5中的所述深度H2计算所述晶圆研磨去除的量。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||