鳍式场效应晶体管的形成方法

摘要

一种鳍式场效应晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有栅极结构密集区和栅极结构稀疏区，半导体衬底表面具有凸起的鳍部和横跨所述鳍部的栅极结构；形成侧墙材料层，所述侧墙材料层覆盖鳍部和栅极结构；对侧墙材料层进行第一刻蚀，在栅极结构密集区的鳍部两侧形成第一侧墙，在栅极结构稀疏区的鳍部两侧形成第二侧墙，所述第一侧墙和第二侧墙低于鳍部的顶部表面；对栅极结构两侧的鳍部进行第二刻蚀，形成第一鳍部，第一侧墙与第一鳍部平齐，第二侧墙高于第一鳍部；进行第三刻蚀，第三刻蚀能够减小第二侧墙与第一鳍部的高度差；在第一鳍部上形成源漏区。所述鳍式场效应晶体管的形成方法，可以提高鳍式场效应晶体管的性能。

主权项

一种鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有栅极结构密集区和栅极结构稀疏区，所述半导体衬底表面具有凸起的鳍部和横跨所述鳍部的栅极结构，所述栅极结构覆盖部分所述鳍部的顶部和侧壁；形成侧墙材料层，所述侧墙材料层覆盖鳍部和栅极结构；对侧墙材料层进行第一刻蚀，暴露出栅极结构两侧的鳍部，且在栅极结构密集区鳍部两侧形成第一侧墙，在栅极结构稀疏区鳍部两侧形成第二侧墙，所述第一侧墙和第二侧墙低于所述鳍部的顶部表面；对暴露出的栅极结构两侧的鳍部进行第二刻蚀，形成第一鳍部，所述第一侧墙与第一鳍部平齐，所述第二侧墙高于第一鳍部；进行第三刻蚀，所述第三刻蚀适于减小第二侧墙与第一鳍部的高度差；在第一鳍部上形成源漏区。