| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了半导体器件及其制造方法。在一些实施例中，半导体器件包括：第一鳍式场效应晶体管(FinFET)，设置在衬底上方；以及第二FinFET器件，设置在第一FinFET上方。结隔离材料设置在第一FinFET的源极与第二FinFET的源极之间。 | ||
| 申请公布号 | CN106206732A | 申请公布日期 | 2016.12.07 |
| 申请号 | CN201510349960.3 | 申请日期 | 2015.06.23 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 刘致为;张弘志;彭成毅;张智胜 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/8234(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;李伟 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：第一鳍式场效应晶体管(FinFET)，设置在衬底上方；第二FinFET，设置在所述第一FinFET上方；以及结隔离区域，设置在所述第一FinFET的源极与所述第二FinFET的源极之间。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||