发明名称 功率金氧半场效电晶体布局结构
摘要 一种分枝式之功率金氧半场效电晶体布局结构,包括基座与多个金氧半场效电晶体晶胞。各金氧半场效电晶体晶胞包括长条形之基部及多个分枝部。分枝部系从基部之侧边延伸,使得形成光阻图案时,可以使多个基部上覆盖之光阻图案相连,增加光阻之覆盖面积,以减少光阻剥落之机会。
申请公布号 TW200408126 申请公布日期 2004.05.16
申请号 TW091132834 申请日期 2002.11.07
申请人 台湾茂矽电子股份有限公司 发明人 倪诚聪;陈仁德
分类号 H01L29/772 主分类号 H01L29/772
代理机构 代理人 林素华
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行路十九号