制作金属-绝缘-金属型电容之方法及具有此电容之半导体装置

摘要

本发明揭示一种制作金属－绝缘－金属型电容(MIM)之方法。首先，在具有一第一介电层的基底表面嵌入一第一金属层及一接垫。接着，在第一介电层上形成一钝态保护层后，定义钝态保护层，以在第一金属层上方形成一第一开口。接着，在钝态保护层上及第一开口表面顺应性形成一第二介电层后，定义第二介电层及其下方之钝态保护层，以在接垫上方形成一第二开口。最后，在第二介电层上形成一第二金属层及填入第一及第二开口后，定义第二金属层及其下方之第二介电层，以同时在接垫上形成一接合电极及在第一金属层上构成一MIM电容。