| 主权项 |
1.一种利用反转录制程形成孔洞之方法,该方法至少包括:形成一光阻层于一底材上,其中该光阻层具有栓塞状结构;沉积第一介电层于该栓塞状结构上;蚀刻该第一介电层至曝露出部分该栓塞状结构为止;及移除该栓塞状结构。2.如申请专利范围第1项之方法,其中上述该孔洞之形成可选择包括接触孔、线距或沟渠。3.如申请专利范围第1项之方法,其中上述该形成第一介电层材质可选择包括氮化物、硼磷矽玻璃、旋涂玻璃及矽甲烷(SiH4)和过氧化氢(H2O2)之混合溶液。4.如申请专利范围第1项之方法,其中上述该蚀刻制程可选择包括湿蚀刻及乾蚀刻。5.一种利用反转录制程形成接触孔并可缩小其尺寸之方法,该方法至少包括:形成一光阻层在一底材上,其中该光阻层具有一栓塞状结构;沉积第一介电层于该栓塞状结构上;移除该栓塞状结构形成一孔洞;沉积一共形层于该第一介电层和该孔洞中;及蚀刻该共形层并于孔洞侧壁形成间隙壁。6.如申请专利范围第5项之方法,其中上述该孔洞之形成可选择包括接触孔、线距或沟渠。7.如申请专利范围第5项之方法,其中上述该形成第一介电层材质可选择包括氮化物、硼磷矽玻璃、旋涂玻璃及矽甲烷(SiH4)和过氧化氢(H2O2)之混合溶液。8.如申请专利范围第5项之方法,其中上述该蚀刻第一介电层步骤可选择包括湿蚀刻及乾蚀刻。9.如申请专利范围第5项之方法,其中该共形层为介电材质。10.如申请专利范围第9项之方法,其中该介电材质可选择包括氮化物及硼磷矽玻璃。11.如申请专利范围第5项之方法,其中该蚀刻共形层步骤为非等向性蚀刻。12.一种利用反转录制程形成接触孔并可缩小其尺寸之方法,该方法至少包括:形成一光阻层于一底材上,其中该光阻层具有栓塞状结构;沉积第一氧化层于该栓塞状结构上;蚀刻该第一氧化层至曝露出部分该栓塞状结构为止;移除该栓塞状结构形成一孔洞;沉积一共形氧化层于该第一氧化层及该孔洞中;及蚀刻该共形氧化层并于孔洞侧壁形成间隙壁。13.如申请专利范围第12项之方法,其中上述该孔洞之形成可选择包括接触孔、线距或沟渠。14.如申请专利范围第12项之方法,其中上述该形成第一介电层材质可选择包括氮化物、硼磷矽玻璃、旋涂玻璃及矽甲烷(SiH4)和过氧化氢(H2O2)之混合溶液。15.如申请专利范围第12项之方法,其中上述该蚀刻第一氧化层步骤可选择包括湿蚀刻及乾蚀刻。16.如申请专利范围第12项之方法,其中上述该共形氧化层为介电材质。17.如申请专利范围第16项之方法,其中该介电材质可选择包括氮化物及硼磷矽玻璃。18.如申请专利范围第12项之方法,其中该蚀刻共形氧化层步骤为非等向性蚀刻。图式简单说明:第一图所示为传统半导体底材依序具有介电层和光阻层沉积形成之截面放大图。第二图为延续第一图所示在介电层中之接触孔和光阻层之开口具有相同之尺寸。第三图为本发明放大截面图,半导体底材上具有一图案转移后之光阻层形成。第四图为本发明放大截面图,依序第三图,于光阻层上沉积一介电材质层。第五图为本发明放大截面图,依序第四图,对介电材质层进行回蚀刻。第六图为本发明放大截面图,依序第五图,蚀刻后移除光阻层。第七图为本发明放大截面图,依序第六图,介电材质层沉积覆盖主要区域。第八图为本发明放大截面图,依序第七图,对介电材质层进行蚀刻,在侧壁上形成间隙壁。 |
